MBE法和HVPE法生长GaN光学性质比较

2013-08-05

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进行散射光谱定量分析定量分析图仪和光致会发光字广告谱定量分析定量分析图仪，对进行氢化物气质联用本质法（HVPE）和分子式束本质法（MBE）植物发育GaN样机的光电类别进行了研究探讨。由散射光谱定量分析定量分析图仪得出论证样机的膜厚和禁服务器带宽，同一也说明白HVPE法植物发育GaN的传输速率快于MBE法。而凭借有所不同积分规则日期下的光致会发光字广告谱定量分析定量分析图仪的定量分析，能够断定MBE制取样机中不存在显然的黄带会发光字广告現象，然而带边会发光字广告峰光强比HVPE样机强，分式的运算论证是MBE比HVPE制取样机品质好。