PLC光无源器件技术的现状分析

2013-06-21 admin1

三视图光波导PLC的英文翻译Planar Lightwave Circuit的缩写英文，是三视图光波导技艺。在几年后，三视图光波导技艺就也可以使电子束在晶圆中传送数据，并已在WDM系統中范围广使用，大部分是阵列波导光栅(AWG)复接/解复接包块。今天，山东仕佳电子束科学系统有限的集团公司安俊明博后发布了《PLC光无源电子元件的研究报告分析及纵览》，涉及PLC光无源电子元件的技艺研究报告分析作了诠释。

PLC光无源元器件技术性的独几大类首先类是波分多路多路重复使用器-立体光波导功率器件，这里面又构成刻蚀衍射光栅EDG、微环谐振器解多路多路重复使用器、阵列波导光栅AWG和电子束晶状体解多路多路重复使用器这几类别。

安博士生还的介绍了AWG的运作方式，这里面AWG集合块是主要网、数据信息中心局、光互连的重要性集合块。不同的食材系的AWG稳定性性能参数只要同的，这里面二脱色硅波导的弯折率差为0.75%，波导长宽规格规格为6 mm′6mm，内弯球圆弧为5mm，40入口的通道集合块长宽规格规格为45mm′20mm，最明显的的特点是，分开用的耗用低;SOI波导的弯折率差为40%，波导长宽规格规格为500nm′200nm，内弯球圆弧为5mm;16入口的通道集合块长宽规格规格为580mm′170mm，是集合用，亚μm加工生产，故此解耦高难度大;InGaAsP/InP波导的长宽规格规格为2.5 m m′0.5mm，内弯球圆弧为500mm，是集合用，耗用稍高，有时候市场价贵。

硅基二防氧化硅AWG必须要克制中国三大突破点：不规则的相关材料生长期、相位管控以变少串扰及固溶处理载荷来补偿，其较大 路清算通道数高达模型512路清算通道。Si納米线波导AWG的波导长宽比在300nm-500nm，Ghent大学本科制取出了8清算通道、400GHz硅納米线AWG，长宽比仅为200mm′350mm，元件插损仅-1.1dB，串扰为-25dB。

硅奈米线AWG的关键加工过程源于电子器材束拍摄或深UV紫外线拍摄和ICP干法刻蚀，要克服害怕五大存在的原因：EB光刻分散奈米线波导一致性、EB写场拼结原因(断线或脱位) 及EB光刻、ICP刻蚀外侧光洁性。

64入口通道、50GHz InP AWG的禁带为1.05 mm，GaInAsP为0.5 mm厚，后面合并1.5 mm厚的InP。深脊型波导参数为2.55 mm，刻蚀深度.为4.5 mm。NTT采取深脊型成分，确保偏振没有关系，其长宽比为3.6mm′7.0mm;设置/读取波导展宽为4 mm;读取波导相隔为25 mm;阵列波导屈曲表面积为500 mm;设置/读取波导屈曲表面积为250 mm;插损在14.4-16.4dB间，串扰少于-20dB。

PLC光无源电子器件技術的第五类其次类为PLC光分路器，归于光纤宽带到户的核心内容光波整合电路芯片。PLC立体波导型光分路器分为宽度整合的光催化原理技術，分路数多达128路，分为光刻、产生和干法刻蚀加工制作技艺 ，在石英石衬底上导致填埋光波导，实行光耗油率平均分配，是光分路器生产制造的最好的技術。日前控制类似这些技術的品牌，日本有NTT、AiDi、Hitachi Cable、Wooriro、PPI、Fi-Ra，Neon、Corecross、QNIX、Enablence。还有种分为安全玻璃基铁离子互相交换光催化原理技術，该技術的加工制作技艺 简短、环保设备投资项目少，日本有使用了法国的的Teem Photonics品牌和俄罗斯ColorChip品牌，中国内地曾有曝光福建大学本科也控制了该技術。

如今，PLC光分路器晶圆化学合成艺注意事项分6大工作步骤共19个多种工序。先后为：芯区发展-去应力退火处理、发展硬掩膜、光刻(涂胶、前烘、揭晓、定影、后烘)、刻蚀硬掩膜、去光刻胶、刻蚀芯区、去硬掩膜、除垢、发展上包层、去应力退火处理(三次三次)。

PLC光无源电子元件技术性的3、类三是种类型的为无源与有源效果元件混一体化型，有AWG与可变谐衰减器(VOA)一体化型、AWG与热光电开关一体化型的光上下两边路器(OADM)这多种一体化型措施。二硫化硅APP混杂ibms有LD倒装和PD方面贴装俩种的方式。而封装形式板块-片上倒装格局是SOIAPP混杂ibms，有LD倒装和PD外表贴装红杠工艺，比二硫化硅APP少两个工艺。混后整合工序-LD倒装焊所采用俩测阶梯箭头的方试，SOI平台网站混后整合LD倒装分层融合方法-PD表面能贴装，选用面遥测器，NTT早先用波导型遥测器。相较于较两个遥测器，面遥测器摆正容差大，细化了方法。PLC光无源元件水平的四类第四点货品型为SOI纳米级线AWG与Ge侦测器单支ibms，专属硅基功率器件混合法、单支ibms。

PLC光无源器件技术的第五类

5、的种类型为InP基单面模块化式(PIC)，但其中Infinera公司是亚洲PIC模块化式基带芯片象征。InP基单面模块化式Key Innovation PIC是技术水平上的的创新，包括有源光量子的模块化式，极具区域小、能效比低、靠普性强的性能，并能满足数字1服务器带宽，创造布署和标准化管理的灵活机动性。当前光量子集成化型体现了传输数据IP化，单蚀刻，大总量InP光量子集成化型、每集成块100Gb/s WDM体系体积、一双PIC集成化型了68个破乳Tx&RxInfinera InP基集成式变现了金属解耦三次可以减掉30倍，空間暂用可以减掉3倍，同时工作功率消耗掉可以减掉50%，相比衡量，特点很深。现在，国产光网络通讯企业链在系統ibms此种缓解综合能力深厚，在其中华为公司、zte、峰火均已位列世界上前例。只是必须妥协的是，目前我国在品牌进入校园市场处理IC电源集成型ic此种块的水平更加弱，只剩下中端有源可能自产，中中档处理IC电源集成型ic所有依赖症国外进口。国产在模块电源此种缓解的综合能力算更加强，以光迅昂纳等为代表英语，总体目标而方专属于经拆装来源于的封装类型大國。妇孺皆知，光网络通讯企业链的基础理论体现在处理IC电源集成型ic，只剩下把握了中中档处理IC电源集成型icibms水平，一整块企业链才获得很不错的提升进去。